柯小琴,女,西安交通大学物理学院副教授,博导,中共党员,湖北黄冈人。2007年7月本科毕业于西安交通大学生命科学与技术人才培养基地专业,于2009年7月硕士毕业于西安交通大学材料科学与工程专业,于2014年8月博士毕业于美国俄亥俄州立大学材料科学与工程系,师从相场模拟的国际权威专家王云志教授。
主要通过相场模拟的方法对于铁性功能材料及其它金属材料等的微观组织结构和性能进行计算和模拟,并在理论和计算的基础上设计各种高性能材料,其研究方向包括高性能铁电材料的理论和实验设计,铁磁材料的相场模拟,金属扩散偶的互扩散结构模拟等。
主持国家自然科学基金项目1项及中国博士后科学基金面上项目1项,并参与国家重点研发计划项目2项。目前以一作或通讯作者身份在Phys. Rev. Lett., Adv. Funct. Mater., Phys. Rev. B, Acta Mater., Appl. Phys. Lett.等期刊上发表学术论文20余篇,论文总引用600余次。
现任中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专委会委员;曾受邀在国际学术会议如美国TMS会议,国际固态相变会议等大会上做邀请报告,并担任Acta Mater., J. Appl. Phys.,Ceram. Inter.,J. Phys. Chem., J. Mag. Mag. Mater., ACS Appl. Energy Mater., J. Mater. Sci.等多种期刊的审稿人。荣获中国仪表功能材料学会电子元器件关键材料与技术专委会2020年度“国瓷新材料”奖优秀论文奖。
获奖论文介绍:
外电场下的电畴翻转对于铁电材料的“智能”特性及其在电子设备中的诸多应用起着关键的作用。由于铁电准同型相界具有超高压电性能,因而近年来铁电领域研究者对于铁电准同型相界处的电畴翻转机制保持很高的兴趣。目前已有的两种电畴翻转机制,即畴壁移动和极化旋转机制,均不能解释实验中多次观察到的铁电准同型相界处从微观畴到纳米畴嵌于微观畴中的畴中畴结构的转变。本文通过相场模拟的方法模拟准同型相界处的畴结构及外场响应机制,成功地预测了实验观测到的微观畴到畴中畴结构的转变,并发现了这一过程中的特殊电畴翻转机制,即微观畴可以通过调幅失稳连续分解为两种交替排列的极化模相同但是方向不同的纳米畴,这种分解方式与扩散相变中的成分调幅分解机制类似,因此命名为“极化调幅分解”机制。进一步的研究发现,与极化旋转方式相比,极化调幅分解机制可以增强铁电准同型相界处的压电系数。本工作发现了一种新的电畴翻转机制,对于铁电相变理论的发展具有积极意义,并且可以促进新型铁电记忆材料的发展与设计。(论文题目:polarization spinodal at ferroelectric morphotropic phase boundary; DOI: 10.1103/PhysRevLett.125.127602.)